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RS1E280BNTB  与  BSC025N03MS G  区别

型号 RS1E280BNTB BSC025N03MS G
唯样编号 A-RS1E280BNTB A-BSC025N03MS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@28A,10V 6.7mΩ
上升时间 - 3ns
Qg-栅极电荷 - 27nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 28A(Ta) 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 2.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 15V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),30W(Tc) 35W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3M
典型接通延迟时间 - 4.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 94nC @ 10V -
库存与单价
库存 86 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥11.8098
100+ :  ¥6.8261
1,250+ :  ¥4.3277
2,500+ :  ¥3.129
暂无价格
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1: ¥11.8098
100: ¥6.8261
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